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STD12N60M2
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Date Sheet
在庫數 7500
- 1+： $1.88349
- 10+： $1.77688
- 100+： $1.67630
- 500+： $1.58142
- 1000+： $1.49190
小計金額 $1.88349
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Surface Mount：YES
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：85W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：MDmesh™ M2
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：THROUGH-HOLE
- Base Part Number：STD12
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：450m Ω @ 4.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：538pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：16nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±25V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：9A
- Drain-source On Resistance-Max：0.45Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：36A
- DS Breakdown Voltage-Min：600V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：117 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 7500
- 1+： $1.88349
- 10+： $1.77688
- 100+： $1.67630
- 500+： $1.58142
- 1000+： $1.49190
小計金額 $1.88349
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