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STB43N65M5
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 650V 42A
Date Sheet
在庫數 1999
- 1+： $7.62241
- 10+： $7.19095
- 100+： $6.78392
- 500+： $6.39992
- 1000+： $6.03766
小計金額 $7.62241
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Transistor Element Material：SILICON
- Manufacturer Package Identifier：D2PAK-0079457-A2
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：42A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：250W Tc
- Turn Off Delay Time：12 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：Automotive, AEC-Q101, MDmesh™
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STB43N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Number of Channels：1
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：250W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：73 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：63m Ω @ 21A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4400pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：100nC @ 10V
- Vgs (Max)：±25V
- Continuous Drain Current (ID)：42A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain-source On Resistance-Max：0.063Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：650 mJ
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Height：4.83mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1999
- 1+： $7.62241
- 10+： $7.19095
- 100+： $6.78392
- 500+： $6.39992
- 1000+： $6.03766
小計金額 $7.62241
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