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画像はあくまで参考です。
IPB180N10S402ATMA1
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Infineon Technologies
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6 Tab) D2PAK T/R
Date Sheet
在庫數 2516
- 1+： $5.39896
- 10+： $5.09336
- 100+： $4.80505
- 500+： $4.53307
- 1000+： $4.27648
小計金額 $5.39896
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：14 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：180A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：30 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- JESD-30 Code：R-PSSO-G6
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：300W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：15 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.5m Ω @ 100A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3.5V @ 275μA
- Halogen Free：Halogen Free
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：14600pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：200nC @ 10V
- Rise Time：9ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：40 ns
- Continuous Drain Current (ID)：180A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Max Dual Supply Voltage：100V
- Drain-source On Resistance-Max：0.0025Ohm
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：720A
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Contains Lead
在庫數 2516
- 1+： $5.39896
- 10+： $5.09336
- 100+： $4.80505
- 500+： $4.53307
- 1000+： $4.27648
小計金額 $5.39896
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