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STH270N8F7-6
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Date Sheet
在庫數 13819
- 1+： $4.39310
- 10+： $4.14443
- 100+： $3.90984
- 500+： $3.68853
- 1000+： $3.47975
小計金額 $4.39310
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- Mounting Type：Surface Mount
- Mount：Surface Mount
- Number of Pins：7
- Transistor Element Material：SILICON
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Turn Off Delay Time：98 ns
- Power Dissipation (Max)：315W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：180A Tc
- Series：DeepGATE™, STripFET™ VII
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：ULTRA LOW RESISTANCE
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STH270
- JESD-30 Code：R-PSSO-G6
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：315W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：56 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.1m Ω @ 90A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：13600pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：193nC @ 10V
- Rise Time：180ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：42 ns
- Continuous Drain Current (ID)：180A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：80V
- Width：15.25mm
- Length：10.4mm
- Height：4.8mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
在庫數 13819
- 1+： $4.39310
- 10+： $4.14443
- 100+： $3.90984
- 500+： $3.68853
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