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画像はあくまで参考です。
FCP380N60E
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP380N60E Power MOSFET, N Channel, 10.2 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2.5 V
Date Sheet
在庫數 110
- 1+： $3.02964
- 10+： $2.85815
- 100+： $2.69637
- 500+： $2.54375
- 1000+： $2.39976
小計金額 $3.02964
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10.2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：106W Tc
- Turn Off Delay Time：64 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperFET® II
- Published：2012
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：106W
- Turn On Delay Time：17 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：380m Ω @ 5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1770pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：45nC @ 10V
- Rise Time：9ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：10 ns
- Continuous Drain Current (ID)：10.2A
- Threshold Voltage：2.5V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Height：9.4mm
- Length：10.67mm
- Width：4.83mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 110
- 1+： $3.02964
- 10+： $2.85815
- 100+： $2.69637
- 500+： $2.54375
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小計金額 $3.02964
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