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画像はあくまで参考です。
IRF820
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
Date Sheet
在庫數 50
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：80W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：PowerMESH™ II
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：HIGH VOLTAGE
- Voltage - Rated DC：500V
- Current Rating：2.5A
- Base Part Number：IRF8
- JESD-30 Code：R-PSIP-T3
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：80W
- Turn On Delay Time：10 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：3 Ω @ 1.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：315pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：17nC @ 10V
- Rise Time：13ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：13 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：4A
- Drain-source On Resistance-Max：3Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：12A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：210 mJ
- Feedback Cap-Max (Crss)：50 pF
- Turn Off Time-Max (toff)：245ns
- Turn On Time-Max (ton)：137ns
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
- Lead Free：Contains Lead
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