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画像はあくまで参考です。
FQA28N50
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-3P-3, SC-65-3
- MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P
Date Sheet
在庫數 999999
- 1+： $4.80774
- 10+： $4.53560
- 100+： $4.27887
- 500+： $4.03667
- 1000+： $3.80818
小計金額 $4.80774
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-3P-3, SC-65-3
- Number of Pins：3
- Weight：6.401g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：28.4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：310W Tc
- Turn Off Delay Time：250 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2000
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：500V
- Current Rating：28.4A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：310W
- Turn On Delay Time：100 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：160m Ω @ 14.2A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：5600pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：140nC @ 10V
- Rise Time：290ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：175 ns
- Continuous Drain Current (ID)：28.4A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Dual Supply Voltage：500V
- Nominal Vgs：5 V
- Height：18.9mm
- Length：15.8mm
- Width：5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 999999
- 1+： $4.80774
- 10+： $4.53560
- 100+： $4.27887
- 500+： $4.03667
- 1000+： $3.80818
小計金額 $4.80774
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