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画像はあくまで参考です。
FQA30N40
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-3P-3, SC-65-3
- MOSFET N-CH 400V 30A TO-3P
Date Sheet
在庫數 3000
- 1+： $1.89968
- 10+： $1.79215
- 100+： $1.69071
- 500+： $1.59501
- 1000+： $1.50472
小計金額 $1.89968
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-3P-3, SC-65-3
- Number of Pins：3
- Weight：6.401g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：30A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：290W Tc
- Turn Off Delay Time：190 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：140MOhm
- Voltage - Rated DC：400V
- Current Rating：30A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：290W
- Turn On Delay Time：80 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：140m Ω @ 15A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4400pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：120nC @ 10V
- Rise Time：320ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：170 ns
- Continuous Drain Current (ID)：30A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：400V
- Height：6.35mm
- Length：6.35mm
- Width：6.35mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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