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画像はあくまで参考です。
FDA28N50F
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-3P-3, SC-65-3
- MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
Date Sheet
在庫數 5425
- 1+： $6.01673
- 10+： $5.67616
- 100+： $5.35487
- 500+： $5.05176
- 1000+： $4.76581
小計金額 $6.01673
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-3P-3, SC-65-3
- Number of Pins：3
- Weight：6.401g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：28A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：310W Tc
- Turn Off Delay Time：192 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：UniFET™
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：AVALANCHE RATED
- HTS Code：8541.29.00.95
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：310W
- Turn On Delay Time：67 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：175m Ω @ 14A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：5387pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：105nC @ 10V
- Rise Time：137ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：101 ns
- Continuous Drain Current (ID)：28A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：0.175Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：112A
- Height：20.1mm
- Length：15.8mm
- Width：5mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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