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画像はあくまで参考です。
FQD5N50CTM
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Date Sheet
在庫數 200100
- 1+： $0.73215
- 10+： $0.69071
- 100+： $0.65161
- 500+： $0.61473
- 1000+： $0.57993
小計金額 $0.73215
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta 48W Tc
- Turn Off Delay Time：50 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：QFET®
- Published：2003
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：500V
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：5A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.4 Ω @ 2A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：625pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：24nC @ 10V
- Rise Time：46ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：48 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：4A
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Height：2.3mm
- Length：6.6mm
- Width：6.1mm
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 200100
- 1+： $0.73215
- 10+： $0.69071
- 100+： $0.65161
- 500+： $0.61473
- 1000+： $0.57993
小計金額 $0.73215
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