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NTD5407NG
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 40V 38A DPAK
Date Sheet
在庫數 32365
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.6A Ta 38A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：75W Tc
- Turn Off Delay Time：66 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2005
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：75W
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：26m Ω @ 20A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1000pF @ 32V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：20nC @ 10V
- Rise Time：17ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：51 ns
- Continuous Drain Current (ID)：38A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.026Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：40V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：75A
- RoHS Status：RoHS Compliant
在庫數 32365
小計金額 $0.00000
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