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画像はあくまで参考です。
NTB30N06G
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
Date Sheet
在庫數 414
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：27A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：88.2W Tc
- Turn Off Delay Time：24 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2005
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Voltage - Rated DC：60V
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：27A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：88.2W
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：42m Ω @ 15A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1200pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：46nC @ 10V
- Rise Time：36ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：31 ns
- Continuous Drain Current (ID)：27A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.042Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：80A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：101 mJ
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
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