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STW20NM60
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Date Sheet
在庫數 5
- 1+： $5.89075
- 10+： $5.55731
- 100+： $5.24275
- 500+： $4.94599
- 1000+： $4.66603
小計金額 $5.89075
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Turn Off Delay Time：42 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：192W Tc
- Series：MDmesh™
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：290mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：650V
- Current Rating：20A
- Base Part Number：STW20N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：192W
- Turn On Delay Time：25 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：290m Ω @ 10A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1500pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：54nC @ 10V
- Rise Time：20ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：11 ns
- Continuous Drain Current (ID)：20A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：80A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：650 mJ
- Width：6.35mm
- Height：6.35mm
- Length：50.8mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5
- 1+： $5.89075
- 10+： $5.55731
- 100+： $5.24275
- 500+： $4.94599
- 1000+： $4.66603
小計金額 $5.89075
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