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画像はあくまで参考です。
IRF8734TRPBF
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Infineon Technologies
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
Date Sheet
在庫數 242563
- 1+： $1.27899
- 10+： $1.20659
- 100+： $1.13830
- 500+： $1.07386
- 1000+： $1.01308
小計金額 $1.27899
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：21A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Turn Off Delay Time：15 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2.35V @ 50μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：HEXFET®
- Published：2009
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：3.5MOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Turn On Delay Time：13 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：3.5m Ω @ 21A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3175pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：30nC @ 4.5V
- Rise Time：16ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：8 ns
- Continuous Drain Current (ID)：21A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Height：1.4986mm
- Width：3.9878mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 242563
- 1+： $1.27899
- 10+： $1.20659
- 100+： $1.13830
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