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CMS07P10V8-HF
-
Comchip Technology
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-PowerVDFN
- MOSFET P-CH 100V 2.2A/7A PR-PAK
Date Sheet
在庫數 8
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerVDFN
- Supplier Device Package：PR-PAK (3x3)
- Mfr：Comchip Technology
- Package：Tape & Reel (TR)
- Product Status：Active
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.2A (Ta), 7A (Tc)
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Power Dissipation (Max)：2.5W (Ta), 25W (Tc)
- Base Product Number：CMS07
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：100 V
- Typical Turn-On Delay Time：13 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
- Pd - Power Dissipation：25 W
- Transistor Polarity：P-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：5000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Manufacturer：Comchip Technology
- Brand：Comchip Technology
- Qg - Gate Charge：16 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：260 mOhms
- RoHS：In Transition
- Typical Turn-Off Delay Time：29 ns
- Id - Continuous Drain Current：7 A
- Series：-
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Packaging：MouseReel
- Subcategory：MOSFETs
- Configuration：Single
- Number of Channels：1 Channel
- FET Type：P-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：260mOhm @ 4A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：680 pF @ 15 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：16 nC @ 10 V
- Rise Time：7 ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：100 V
- Vgs (Max)：±20V
- Product Type：MOSFET
- Transistor Type：1P-Channel
- FET Feature：-
- Product Category：MOSFET
在庫數 8
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