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APT8020B2LLG
-
Microchip Technology
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- T-MAX-3
- MOSFET FG, MOSFET, 800V, 0.20_OHM, TO-247 T-MAX, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
在庫數 32
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：T-MAX-3
- Mounting Type：Through Hole
- Supplier Device Package：T-MAX™ [B2]
- RoHS：Details
- Mounting Styles：Through Hole
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：800 V
- Id - Continuous Drain Current：38 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：200 mOhms
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：5 V
- Qg - Gate Charge：195 nC
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Pd - Power Dissipation：694 W
- Channel Mode：Enhancement
- Tradename：Power MOS 7
- Fall Time：9 ns
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Typical Turn-Off Delay Time：39 ns
- Typical Turn-On Delay Time：12 ns
- Unit Weight：0.208116 oz
- Continuous Drain Current Id：38
- Package：Tube
- Base Product Number：APT8020
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：38A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Mfr：Microchip Technology
- Power Dissipation (Max)：694W (Tc)
- Product Status：Active
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 2.5mA
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：POWER MOS 7®
- Configuration：Single
- Number of Channels：1 Channel
- Power Dissipation：694
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：200mOhm @ 19A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：5200 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：195 nC @ 10 V
- Rise Time：14 ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：800 V
- Vgs (Max)：±30V
- Channel Type：N
- FET Feature：-
- Height：5.21 mm
- Length：26.49 mm
- Width：20.5 mm
在庫數 32
小計金額 $0.00000
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