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画像はあくまで参考です。
APT5014BLLG
-
Microchip Technology
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET FG, MOSFET, 500V, 0.14_OHM, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
在庫數 505
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-247-3
- Mounting Type：Through Hole
- Supplier Device Package：TO-247 [B]
- RoHS：Details
- Mounting Styles：Through Hole
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：500 V
- Id - Continuous Drain Current：35 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：140 mOhms
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：5 V
- Qg - Gate Charge：72 nC
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Pd - Power Dissipation：403 W
- Channel Mode：Enhancement
- Tradename：Power MOS 7
- Fall Time：3 ns
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Typical Turn-Off Delay Time：23 ns
- Typical Turn-On Delay Time：11 ns
- Unit Weight：0.211644 oz
- Package：Tube
- Base Product Number：APT5014
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：35A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Mfr：Microchip Technology
- Power Dissipation (Max)：403W (Tc)
- Product Status：Active
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 1mA
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：POWER MOS 7®
- Number of Channels：1 Channel
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：140mOhm @ 17.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3261 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：72 nC @ 10 V
- Rise Time：6 ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：500 V
- Vgs (Max)：±30V
- FET Feature：-
- Height：5.31 mm
- Length：21.46 mm
- Width：16.26 mm
在庫數 505
小計金額 $0.00000
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