STB160N75F3

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
Date Sheet

在庫數 2000

1+： $12.27781
10+： $11.58284
100+： $10.92720
500+： $10.30868
1000+： $9.72517

小計金額 $12.27781

仕様よくある質問

Factory Lead Time：12 Weeks
Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type：Surface Mount
Mount：Surface Mount
Number of Pins：3
Transistor Element Material：SILICON
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Turn Off Delay Time：100 ns
Power Dissipation (Max)：330W Tc
Number of Elements：1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：120A Tc
Series：STripFET™
Packaging：Tape & Reel (TR)
Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
JESD-609 Code：e3
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：2
Termination：SMD/SMT
ECCN Code：EAR99
Resistance：3.7MOhm
Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form：GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)：245
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
Base Part Number：STB160N
JESD-30 Code：R-PSSO-G2
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：330W
Turn On Delay Time：22 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：4m Ω @ 60A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：6750pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：85nC @ 10V
Rise Time：65ns
Vgs (Max)：±20V
Fall Time (Typ)：15 ns
Continuous Drain Current (ID)：60A
Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
Drain to Source Breakdown Voltage：75V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)：480A
Dual Supply Voltage：75V
Nominal Vgs：4 V
Width：10.4mm
Length：10.75mm
Height：4.6mm
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Radiation Hardening：No
REACH SVHC：No SVHC
Lead Free：Lead Free

在庫數 2000

1+： $12.27781
10+： $11.58284
100+： $10.92720
500+： $10.30868
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