STF13NM60N

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3 Full Pack
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
Date Sheet

在庫數 1990

1+： $4.59367
10+： $4.33365
100+： $4.08835
500+： $3.85693
1000+： $3.63862

小計金額 $4.59367

仕様よくある質問

Factory Lead Time：16 Weeks
Mount：Through Hole
Mounting Type：Through Hole
Package / Case：TO-220-3 Full Pack
Number of Pins：3
Transistor Element Material：SILICON
Manufacturer Package Identifier：TO-220FP-7012510
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：25W Tc
Turn Off Delay Time：30 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tube
Series：MDmesh™ II
JESD-609 Code：e3
Part Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：3
ECCN Code：EAR99
Resistance：280mOhm
Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
Base Part Number：STF13
Number of Channels：1
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：25W
Case Connection：ISOLATED
Turn On Delay Time：3 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：360m Ω @ 5.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：790pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：30nC @ 10V
Rise Time：8ns
Vgs (Max)：±25V
Fall Time (Typ)：10 ns
Continuous Drain Current (ID)：5.5A
JEDEC-95 Code：TO-220AB
Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
Drain to Source Breakdown Voltage：600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)：44A
Avalanche Energy Rating (Eas)：200 mJ
Max Junction Temperature (Tj)：150°C
Nominal Vgs：3 V
Height：20mm
Length：10.4mm
Width：4.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

在庫數 1990

1+： $4.59367
10+： $4.33365
100+： $4.08835
500+： $3.85693
1000+： $3.63862

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