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画像はあくまで参考です。
FCH072N60F
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Date Sheet
在庫數 55
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-247-3
- Number of Pins：3
- Weight：6.39g
- Transistor Element Material：SILICON
- Turn Off Delay Time：140 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：52A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：481W Tc
- Series：FRFET®, SuperFET® II
- Published：2013
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：481W
- Turn On Delay Time：43 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：72m Ω @ 26A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：8660pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：215nC @ 10V
- Rise Time：38ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：25 ns
- Continuous Drain Current (ID)：52A
- JEDEC-95 Code：TO-247AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.072Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：156A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：1128 mJ
- Width：4.82mm
- Height：20.82mm
- Length：15.87mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
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