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画像はあくまで参考です。
2N7002LT1G
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
Date Sheet
在庫數 312000
- 1+： $0.18532
- 10+： $0.17483
- 100+： $0.16493
- 500+： $0.15560
- 1000+： $0.14679
小計金額 $0.18532
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：115mA Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：225mW Ta
- Turn Off Delay Time：40 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：7.5Ohm
- Voltage - Rated DC：60V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：115mA
- Pin Count：3
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：225mW
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：7.5 Ω @ 500mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Halogen Free：Halogen Free
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：50pF @ 25V
- Vgs (Max)：±20V
- Continuous Drain Current (ID)：115mA
- Threshold Voltage：1V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Nominal Vgs：2.5 V
- Feedback Cap-Max (Crss)：5 pF
- Height：1.11mm
- Length：3.04mm
- Width：1.4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 312000
- 1+： $0.18532
- 10+： $0.17483
- 100+： $0.16493
- 500+： $0.15560
- 1000+： $0.14679
小計金額 $0.18532
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