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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Date Sheet
在庫數 24000
- 1+： $0.29744
- 10+： $0.28060
- 100+： $0.26472
- 500+： $0.24973
- 1000+： $0.23560
小計金額 $0.29744
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Supplier Device Package：SOT-23 (TO-236AB)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：300mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：350mW Ta
- Turn Off Delay Time：55.8 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2016
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Resistance：2Ohm
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Number of Channels：1
- Voltage：60V
- Element Configuration：Single
- Current：3A
- Power Dissipation：300mW
- Turn On Delay Time：12.2 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2Ohm @ 500mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：50pF @ 25V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：60V
- Vgs (Max)：±20V
- Continuous Drain Current (ID)：320mA
- Threshold Voltage：2.5V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Input Capacitance：50pF
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Drain to Source Resistance：2Ohm
- Rds On Max：2 Ω
- Height：1.11mm
- Length：2.92mm
- Width：1.3mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 24000
- 1+： $0.29744
- 10+： $0.28060
- 100+： $0.26472
- 500+： $0.24973
- 1000+： $0.23560
小計金額 $0.29744
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