日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
STD4NK100Z
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Trans MOSFET N-CH 1KV 2.2A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Date Sheet
在庫數 2500
- 1+： $2.54453
- 10+： $2.40050
- 100+： $2.26463
- 500+： $2.13644
- 1000+： $2.01551
小計金額 $2.54453
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：90W Tc
- Turn Off Delay Time：32 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STD4N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Number of Channels：1
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：90W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：15 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：6.8 Ω @ 1.1A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4.5V @ 50μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：601pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：18nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：1000V
- Vgs (Max)：±30V
- Continuous Drain Current (ID)：2.2A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：1kV
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：8.8A
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Height：2.63mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 2500
- 1+： $2.54453
- 10+： $2.40050
- 100+： $2.26463
- 500+： $2.13644
- 1000+： $2.01551
小計金額 $2.54453
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
