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画像はあくまで参考です。
FQP19N20C
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
Date Sheet
在庫數 1
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：19A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：139W Tc
- Turn Off Delay Time：135 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：170mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：200V
- Current Rating：19A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：139W
- Turn On Delay Time：15 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：170m Ω @ 9.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1080pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：53nC @ 10V
- Rise Time：150ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：115 ns
- Continuous Drain Current (ID)：19A
- Threshold Voltage：4V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：200V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：76A
- Height：9.4mm
- Length：10.1mm
- Width：4.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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