FDP3682

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-CH 100V 32A TO-220AB
Date Sheet

在庫數 68500

1+： $6.68412
10+： $6.30577
100+： $5.94884
500+： $5.61212
1000+： $5.29445

小計金額 $6.68412

仕様よくある質問

Factory Lead Time：9 Weeks
Contact Plating：Tin
Mount：Through Hole
Mounting Type：Through Hole
Package / Case：TO-220-3
Number of Pins：3
Weight：1.8g
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A Ta 32A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：95W Tc
Turn Off Delay Time：26 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
Packaging：Tube
Series：PowerTrench®
Published：2002
JESD-609 Code：e3
Pbfree Code：yes
Part Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：3
ECCN Code：EAR99
Resistance：36MOhm
Voltage - Rated DC：100V
Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
Current Rating：32A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
Qualification Status：Not Qualified
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：95W
Case Connection：DRAIN
Turn On Delay Time：9 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：36m Ω @ 32A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1250pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：28nC @ 10V
Rise Time：46ns
Vgs (Max)：±20V
Fall Time (Typ)：32 ns
Continuous Drain Current (ID)：32A
Threshold Voltage：4V
JEDEC-95 Code：TO-220AB
Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
Drain Current-Max (Abs) (ID)：6A
Drain to Source Breakdown Voltage：100V
Avalanche Energy Rating (Eas)：55 mJ
Recovery Time：55 ns
Height：9.4mm
Length：10.67mm
Width：4.83mm
REACH SVHC：No SVHC
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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