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画像はあくまで参考です。
FQP33N10
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
Date Sheet
在庫數 1000
- 1+： $3.04602
- 10+： $2.87360
- 100+： $2.71094
- 500+： $2.55749
- 1000+： $2.41273
小計金額 $3.04602
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：33A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：127W Tc
- Turn Off Delay Time：80 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：52mOhm
- Voltage - Rated DC：100V
- Current Rating：33A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：127W
- Turn On Delay Time：15 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：52m Ω @ 16.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1500pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：51nC @ 10V
- Rise Time：195ns
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：110 ns
- Continuous Drain Current (ID)：33A
- Threshold Voltage：4V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- Dual Supply Voltage：100V
- Nominal Vgs：4 V
- Height：9.4mm
- Length：10.67mm
- Width：4.83mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1000
- 1+： $3.04602
- 10+： $2.87360
- 100+： $2.71094
- 500+： $2.55749
- 1000+： $2.41273
小計金額 $3.04602
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