FDS6298

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Date Sheet

在庫數 3000

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10+： $0.65793
100+： $0.62069
500+： $0.58555
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仕様よくある質問

Factory Lead Time：18 Weeks
Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Mounting Type：Surface Mount
Mount：Surface Mount
Number of Pins：8
Weight：130mg
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13A Ta
Turn Off Delay Time：27 ns
Power Dissipation (Max)：3W Ta
Number of Elements：1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
Published：2007
Series：PowerTrench®
Packaging：Tape & Reel (TR)
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
JESD-609 Code：e3
Pbfree Code：yes
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：8
Termination：SMD/SMT
ECCN Code：EAR99
Resistance：15MOhm
Terminal Finish：Tin (Sn)
Additional Feature：FAST SWITCHING
Voltage - Rated DC：30V
Terminal Position：DUAL
Terminal Form：GULL WING
Current Rating：13A
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：3W
Turn On Delay Time：11 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：9m Ω @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1108pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：14nC @ 5V
Rise Time：5ns
Vgs (Max)：±20V
Fall Time (Typ)：7 ns
Continuous Drain Current (ID)：13A
Threshold Voltage：1.7V
Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
Drain to Source Breakdown Voltage：30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)：50A
Dual Supply Voltage：30V
Nominal Vgs：1.7 V
Width：4mm
Length：5mm
Height：1.5mm
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Radiation Hardening：No
REACH SVHC：No SVHC
Lead Free：Lead Free

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