STD25NF10T4

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Date Sheet

在庫數 281

1+： $1.40506
10+： $1.32553
100+： $1.25050
500+： $1.17972
1000+： $1.11294

小計金額 $1.40506

仕様よくある質問

Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Contact Plating：Tin
Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins：3
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：25A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：100W Tc
Turn Off Delay Time：60 ns
Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
Packaging：Tape & Reel (TR)
Series：STripFET™ II
JESD-609 Code：e3
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：2
Termination：SMD/SMT
ECCN Code：EAR99
Resistance：38mOhm
Voltage - Rated DC：100V
Terminal Form：GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)：260
Current Rating：25A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
Base Part Number：STD25N
Pin Count：3
JESD-30 Code：R-PSSO-G2
Number of Channels：1
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：100W
Turn On Delay Time：17 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：38m Ω @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1550pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：55nC @ 10V
Rise Time：60ns
Vgs (Max)：±20V
Fall Time (Typ)：15 ns
Continuous Drain Current (ID)：12.5A
Threshold Voltage：2V
Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
Drain to Source Breakdown Voltage：100V
Dual Supply Voltage：100V
Avalanche Energy Rating (Eas)：480 mJ
Max Junction Temperature (Tj)：175°C
Nominal Vgs：3 V
Height：2.63mm
Length：6.6mm
Width：6.2mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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10+： $1.32553
100+： $1.25050
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