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FQU2N100TU
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
Date Sheet
在庫數 14289
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- Factory Lead Time：7 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Number of Pins：3
- Weight：343.08mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.6A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta 50W Tc
- Turn Off Delay Time：25 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：1kV
- Current Rating：1.6A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Turn On Delay Time：13 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：9 Ω @ 800mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：520pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：15.5nC @ 10V
- Rise Time：30ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：1000V
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：35 ns
- Continuous Drain Current (ID)：1.6A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain-source On Resistance-Max：9Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：1kV
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：6.4A
- Height：7.57mm
- Length：6.8mm
- Width：2.5mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 14289
小計金額 $0.00000
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