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STU6N60M2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
Date Sheet
在庫數 7500
- 1+： $1.66169
- 10+： $1.56763
- 100+： $1.47889
- 500+： $1.39518
- 1000+： $1.31621
小計金額 $1.66169
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：26 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Number of Pins：3
- Power Dissipation (Max)：60W Tc
- Turn Off Delay Time：24 ns
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ II Plus
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Base Part Number：STU6N
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：60W
- Turn On Delay Time：9.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.2 Ω @ 2.25A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：232pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：13.5nC @ 10V
- Rise Time：7.4ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：22.5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Height：6.2mm
- Length：6.6mm
- Width：2.4mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 7500
- 1+： $1.66169
- 10+： $1.56763
- 100+： $1.47889
- 500+： $1.39518
- 1000+： $1.31621
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