日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
STS5N15F3
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 150V 5A 8-SOIC
Date Sheet
在庫數 140
- 1+： $1.26916
- 10+： $1.19732
- 100+： $1.12954
- 500+： $1.06561
- 1000+： $1.00529
小計金額 $1.26916
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Tc
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Turn Off Delay Time：46 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™ III
- JESD-609 Code：e4
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：57MOhm
- Terminal Finish：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STS5N
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Turn On Delay Time：9 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：57m Ω @ 2.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1300pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：29nC @ 10V
- Rise Time：13ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：20 ns
- Continuous Drain Current (ID)：5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：5A
- Drain to Source Breakdown Voltage：150V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：20A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：300 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 140
- 1+： $1.26916
- 10+： $1.19732
- 100+： $1.12954
- 500+： $1.06561
- 1000+： $1.00529
小計金額 $1.26916
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
