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STL100N6LF6
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-PowerVDFN
- MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6
Date Sheet
在庫數 5213
- 1+： $3.66342
- 10+： $3.45605
- 100+： $3.26043
- 500+： $3.07588
- 1000+： $2.90177
小計金額 $3.66342
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerVDFN
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：100A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Power Dissipation (Max)：4.8W Tc
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：DeepGATE™, STripFET™ VI
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：5
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：DUAL
- Base Part Number：STL100
- JESD-30 Code：R-PDSO-N5
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：80W
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：4.5m Ω @ 11A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：8900pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：130nC @ 10V
- Vgs (Max)：±20V
- Continuous Drain Current (ID)：100A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：22A
- Drain-source On Resistance-Max：0.0072Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5213
- 1+： $3.66342
- 10+： $3.45605
- 100+： $3.26043
- 500+： $3.07588
- 1000+： $2.90177
小計金額 $3.66342
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