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画像はあくまで参考です。
STD65N55LF3
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-Ch 55V 7.0mOh 110W STripFETIII 80A 55V
Date Sheet
在庫數 508
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Turn Off Delay Time：50 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™ III
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：7MOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Additional Feature：LOW THRESHOLD
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Base Part Number：STD65N
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：110W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：10 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：8.5m Ω @ 32A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2200pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：20nC @ 5V
- Rise Time：25ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：10 ns
- Continuous Drain Current (ID)：80A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：55V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 508
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