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画像はあくまで参考です。
STP28N60M2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 600V 24A TO-220
Date Sheet
在庫數 20000
- 1+： $3.37714
- 10+： $3.18598
- 100+： $3.00564
- 500+： $2.83551
- 1000+： $2.67501
小計金額 $3.37714
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：329.988449mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：24A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：170W Tc
- Turn Off Delay Time：100 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ II Plus
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Base Part Number：STP28N
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：14.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：150m Ω @ 12A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1370pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：37nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：600V
- Vgs (Max)：±25V
- Continuous Drain Current (ID)：24A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：22A
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：88A
- DS Breakdown Voltage-Min：600V
- Height：15.75mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 20000
- 1+： $3.37714
- 10+： $3.18598
- 100+： $3.00564
- 500+： $2.83551
- 1000+： $2.67501
小計金額 $3.37714
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