日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
STW20NM60FD
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-247-3
- Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Date Sheet
在庫數 8000
- 1+： $6.52790
- 10+： $6.15840
- 100+： $5.80981
- 500+： $5.48095
- 1000+： $5.17071
小計金額 $6.52790
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Package / Case：TO-247-3
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Power Dissipation (Max)：214W Tc
- Number of Elements：1
- Series：FDmesh™
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：290mOhm
- Voltage - Rated DC：600V
- Current Rating：20A
- Base Part Number：STW20N
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：214W
- Turn On Delay Time：25 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：290m Ω @ 10A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1300pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：37nC @ 10V
- Rise Time：12ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：22 ns
- Continuous Drain Current (ID)：20A
- Threshold Voltage：3V
- JEDEC-95 Code：TO-247AC
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：80A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：700 mJ
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Width：5.15mm
- Length：15.75mm
- Height：24.45mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
在庫數 8000
- 1+： $6.52790
- 10+： $6.15840
- 100+： $5.80981
- 500+： $5.48095
- 1000+： $5.17071
小計金額 $6.52790
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
