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STF2N80K5
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
Date Sheet
在庫數 500
- 1+： $1.14075
- 10+： $1.07618
- 100+： $1.01527
- 500+： $0.95780
- 1000+： $0.90358
小計金額 $1.14075
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：329.988449mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：20W Tc
- Turn Off Delay Time：19 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperMESH5™
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Base Part Number：STF2N
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：20W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：8 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：4.5 Ω @ 1A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 100μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：95pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：3nC @ 10V
- Continuous Drain Current (ID)：2A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：2A
- Drain to Source Breakdown Voltage：800V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：8A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：60.5 mJ
- Height：16.4mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 500
- 1+： $1.14075
- 10+： $1.07618
- 100+： $1.01527
- 500+： $0.95780
- 1000+： $0.90358
小計金額 $1.14075
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