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STP200NF03
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 30V 120A TO-220
Date Sheet
在庫數 60
- 1+： $2.47724
- 10+： $2.33702
- 100+： $2.20474
- 500+： $2.07994
- 1000+： $1.96221
小計金額 $2.47724
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Mounting Type：Through Hole
- Contact Plating：Tin
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Turn Off Delay Time：75 ns
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：120A Tc
- Series：STripFET™ III
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Not For New Designs
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：3.7mOhm
- Additional Feature：AVALANCHE RATED
- Voltage - Rated DC：30V
- Current Rating：120A
- Base Part Number：STP200
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：300W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：30 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：3.6m Ω @ 60A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4950pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：140nC @ 10V
- Rise Time：195ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：60 ns
- Continuous Drain Current (ID)：60A
- Threshold Voltage：4V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：480A
- Width：4.6mm
- Length：10.4mm
- Height：9.15mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
在庫數 60
- 1+： $2.47724
- 10+： $2.33702
- 100+： $2.20474
- 500+： $2.07994
- 1000+： $1.96221
小計金額 $2.47724
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