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STF15NM65N
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- STMICROELECTRONICS STF15NM65N Power MOSFET, N Channel, 12 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
Date Sheet
在庫數 6210
- 1+： $4.72559
- 10+： $4.45811
- 100+： $4.20576
- 500+： $3.96770
- 1000+： $3.74311
小計金額 $4.72559
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Supplier Device Package：TO-220FP
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：30W Tc
- Turn Off Delay Time：14 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：MDmesh™ II
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Resistance：380MOhm
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Base Part Number：STF15
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：35W
- Turn On Delay Time：55.5 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：380mOhm @ 6A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：983pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：33.3nC @ 10V
- Rise Time：8ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：650V
- Vgs (Max)：±25V
- Fall Time (Typ)：26 ns
- Continuous Drain Current (ID)：12A
- Threshold Voltage：3V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：25V
- Drain to Source Breakdown Voltage：650V
- Input Capacitance：983pF
- Drain to Source Resistance：270mOhm
- Rds On Max：380 mΩ
- Height：16.4mm
- Length：10.4mm
- Width：4.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 6210
- 1+： $4.72559
- 10+： $4.45811
- 100+： $4.20576
- 500+： $3.96770
- 1000+： $3.74311
小計金額 $4.72559
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