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STS13N3LLH5
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SO N T/R
Date Sheet
在庫數 30000
- 1+： $0.61633
- 10+： $0.58144
- 100+： $0.54853
- 500+： $0.51748
- 1000+： $0.48819
小計金額 $0.61633
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.7W Tc
- Turn Off Delay Time：22.7 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：STripFET™ V
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：6.6MOhm
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STS13
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.7W
- Turn On Delay Time：9.3 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：6.6m Ω @ 6.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1500pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：12nC @ 4.5V
- Rise Time：14.5ns
- Vgs (Max)：+22V, -20V
- Fall Time (Typ)：4.5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：13A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：22V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：52A
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 30000
- 1+： $0.61633
- 10+： $0.58144
- 100+： $0.54853
- 500+： $0.51748
- 1000+： $0.48819
小計金額 $0.61633
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