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STD90N03L
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Date Sheet
在庫數 1975
- 1+： $0.72008
- 10+： $0.67932
- 100+： $0.64087
- 500+： $0.60459
- 1000+： $0.57037
小計金額 $0.72008
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：95W Tc
- Turn Off Delay Time：24 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™ III
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：LOW THRESHOLD
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STD90
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：95W
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：5.7m Ω @ 40A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2805pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：32nC @ 5V
- Rise Time：135ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：33 ns
- Continuous Drain Current (ID)：80A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.0057Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：320A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：350 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 1975
- 1+： $0.72008
- 10+： $0.67932
- 100+： $0.64087
- 500+： $0.60459
- 1000+： $0.57037
小計金額 $0.72008
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