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STB25N80K5
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
Date Sheet
在庫數 9000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：26 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：19.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：250W Tc
- Turn Off Delay Time：60 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 100μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：SuperMESH5™
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：260mOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：STB25N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：250W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：25 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：260m Ω @ 19.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1600pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：40nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：800V
- Vgs (Max)：±30V
- Continuous Drain Current (ID)：19.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：78A
- DS Breakdown Voltage-Min：800V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：200 mJ
- Height：4.4mm
- Length：10mm
- Width：8.95mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 9000
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