STB150NF55T4

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
Date Sheet

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仕様よくある質問

Factory Lead Time：12 Weeks
Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins：3
Weight：4.535924g
Transistor Element Material：SILICON
Power Dissipation (Max)：300W Tc
Number of Elements：1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：120A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Turn Off Delay Time：140 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Packaging：Tape & Reel (TR)
Series：STripFET™ II
Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
JESD-609 Code：e3
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：2
Termination：SMD/SMT
ECCN Code：EAR99
Resistance：6mOhm
Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
Voltage - Rated DC：55V
Terminal Form：GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)：245
Current Rating：120A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
Base Part Number：STB150N
JESD-30 Code：R-PSSO-G2
Element Configuration：Single
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：300W
Case Connection：DRAIN
Turn On Delay Time：35 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：6m Ω @ 60A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：190nC @ 10V
Rise Time：180ns
Vgs (Max)：±20V
Fall Time (Typ)：80 ns
Continuous Drain Current (ID)：60A
Threshold Voltage：4V
Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
Drain to Source Breakdown Voltage：55V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)：480A
Dual Supply Voltage：55V
Avalanche Energy Rating (Eas)：850 mJ
Nominal Vgs：4 V
Height：6.35mm
Length：6.35mm
Width：6.35mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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1+： $3.12146
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