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画像はあくまで参考です。
DN2535N5-G
-
Microchip Technology
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Trans MOSFET N-CH 350V 0.5A 3-Pin TO-220 Tube
Date Sheet
在庫數 996
- 1+： $3.06586
- 10+： $2.89232
- 100+： $2.72860
- 500+： $2.57415
- 1000+： $2.42845
小計金額 $3.06586
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：6.000006g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：500mA Tj
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：0V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：15W Tc
- Turn Off Delay Time：15 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2008
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：LOW THRESHOLD
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Qualification Status：Not Qualified
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：15W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：10 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：25 Ω @ 120mA, 0V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：300pF @ 25V
- Rise Time：15ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：20 ns
- Continuous Drain Current (ID)：500mA
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：0.5A
- Drain to Source Breakdown Voltage：350V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：0.5A
- FET Feature：Depletion Mode
- Height：9.02mm
- Length：10.67mm
- Width：4.83mm
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 996
- 1+： $3.06586
- 10+： $2.89232
- 100+： $2.72860
- 500+： $2.57415
- 1000+： $2.42845
小計金額 $3.06586
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