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画像はあくまで参考です。
FQD7N20LTM
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Date Sheet
在庫數 10790
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta 45W Tc
- Turn Off Delay Time：20 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：QFET®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Voltage - Rated DC：200V
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：5.5A
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：750m Ω @ 2.75A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：500pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：9nC @ 5V
- Rise Time：125ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：65 ns
- Continuous Drain Current (ID)：5.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.78Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：200V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：22A
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 10790
小計金額 $0.00000
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