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画像はあくまで参考です。
DN3545N3-G
-
Microchip Technology
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Trans MOSFET N-CH 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
Date Sheet
在庫數 33000
- 1+： $0.72226
- 10+： $0.68138
- 100+： $0.64281
- 500+： $0.60642
- 1000+： $0.57210
小計金額 $0.72226
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Number of Pins：3
- Weight：453.59237mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：0V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：740mW Ta
- Turn Off Delay Time：30 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2010
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：HIGH INPUT IMPEDANCE
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：WIRE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT APPLICABLE
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT APPLICABLE
- Qualification Status：Not Qualified
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：740mW
- Turn On Delay Time：20 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：20 Ω @ 150mA, 0V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：360pF @ 25V
- Rise Time：30ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：450V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：30 ns
- Continuous Drain Current (ID)：136mA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：450V
- FET Feature：Depletion Mode
- Height：5.33mm
- Length：5.21mm
- Width：4.19mm
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 33000
- 1+： $0.72226
- 10+： $0.68138
- 100+： $0.64281
- 500+： $0.60642
- 1000+： $0.57210
小計金額 $0.72226
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