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画像はあくまで参考です。
FDPF770N15A
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- Single N-Channel 150 V 21 W 11.2 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220F
Date Sheet
在庫數 150
- 1+： $3.27144
- 10+： $3.08626
- 100+： $2.91157
- 500+： $2.74676
- 1000+： $2.59129
小計金額 $3.27144
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：21W Tc
- Turn Off Delay Time：15 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Number of Elements：1
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：PowerTrench®
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- HTS Code：8541.29.00.95
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：20W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：12 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：77m Ω @ 10A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：765pF @ 75V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：11.2nC @ 10V
- Rise Time：8ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：3 ns
- Continuous Drain Current (ID)：10A
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.077Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：150V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：40A
- Width：4.9mm
- Height：16.07mm
- Length：10.36mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 150
- 1+： $3.27144
- 10+： $3.08626
- 100+： $2.91157
- 500+： $2.74676
- 1000+： $2.59129
小計金額 $3.27144
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