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STD3N62K3
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
Date Sheet
在庫數 1725
- 1+： $1.24659
- 10+： $1.17603
- 100+： $1.10946
- 500+： $1.04666
- 1000+： $0.98742
小計金額 $1.24659
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Mounting Type：Surface Mount
- Mount：Surface Mount
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.7A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：45W Tc
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：22 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 50μA
- Series：SuperMESH3™
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Operating Temperature：150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：2.5Ohm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STD3N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：45W
- Turn On Delay Time：9 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.5 Ω @ 1.4A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：385pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：13nC @ 10V
- Rise Time：6.8ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：15.6 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2.7A
- Threshold Voltage：3.75V
- JEDEC-95 Code：TO-252AA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：620V
- Height：2.4mm
- Length：6.6mm
- Width：6.2mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1725
- 1+： $1.24659
- 10+： $1.17603
- 100+： $1.10946
- 500+： $1.04666
- 1000+： $0.98742
小計金額 $1.24659
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