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STB200NF04T4
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Date Sheet
在庫數 12000
- 1+： $5.09013
- 10+： $4.80201
- 100+： $4.53020
- 500+： $4.27377
- 1000+： $4.03186
小計金額 $5.09013
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Mounting Type：Surface Mount
- Mount：Surface Mount
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Turn Off Delay Time：140 ns
- Power Dissipation (Max)：310W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：120A Tc
- Series：STripFET™ II
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：3.7MOhm
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn) - annealed
- Voltage - Rated DC：40V
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：245
- Current Rating：120A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STB200N
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：310W
- Turn On Delay Time：30 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：3.7m Ω @ 90A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：5100pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：210nC @ 10V
- Rise Time：320ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：120 ns
- Continuous Drain Current (ID)：120A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：40V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：480A
- Width：9.35mm
- Length：10.4mm
- Height：4.6mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
在庫數 12000
- 1+： $5.09013
- 10+： $4.80201
- 100+： $4.53020
- 500+： $4.27377
- 1000+： $4.03186
小計金額 $5.09013
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