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画像はあくまで参考です。
FQA24N50
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-3P-3, SC-65-3
- MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
Date Sheet
在庫數 17500
- 1+： $4.44126
- 10+： $4.18987
- 100+： $3.95271
- 500+： $3.72897
- 1000+： $3.51790
小計金額 $4.44126
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-3P-3, SC-65-3
- Number of Pins：3
- Weight：6.401g
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：290W Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：24A Tc
- Turn Off Delay Time：200 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：QFET®
- Published：2000
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：200mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：500V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：24A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：290W
- Turn On Delay Time：80 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：200m Ω @ 12A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：4500pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：120nC @ 10V
- Rise Time：250ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：155 ns
- Continuous Drain Current (ID)：24A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：96A
- Dual Supply Voltage：500V
- Nominal Vgs：5 V
- Height：18.9mm
- Length：15.8mm
- Width：5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 17500
- 1+： $4.44126
- 10+： $4.18987
- 100+： $3.95271
- 500+： $3.72897
- 1000+： $3.51790
小計金額 $4.44126
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