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画像はあくまで参考です。
FCPF650N80Z
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET HV SuperJunction MOS
Date Sheet
在庫數 9000
- 1+： $3.90546
- 10+： $3.68439
- 100+： $3.47584
- 500+： $3.27910
- 1000+： $3.09349
小計金額 $3.90546
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：30.5W Tc
- Turn Off Delay Time：40 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 800μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：SuperFET® II
- Published：2017
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Turn On Delay Time：17 ns
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：650m Ω @ 4A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1565pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：35nC @ 10V
- Rise Time：11ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：800V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：3.4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：8A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：8A
- Height：16.07mm
- Length：10.36mm
- Width：4.9mm
- REACH SVHC：not_compliant
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 9000
- 1+： $3.90546
- 10+： $3.68439
- 100+： $3.47584
- 500+： $3.27910
- 1000+： $3.09349
小計金額 $3.90546
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